Samsung rozpoczyna produkcję 20nm pamięci 4Gb LPDDR3

Samsung ogłosił, iż rozpoczyna właśnie produkcję niskonapięciowych modułów pamięci DDR3. 4-gigbitowe chipy zostaną wykonane w 20-nanometrowym procesie technologicznym.

30 kwietnia 201330 kwietnia 2013 Maciej Rosiński 724 odsłon 0 komentarzy chip, chip pamięci, DDR3, DRAM, LPDDR2, LPDDR3, moduł pamięci, Samsung

Samsung ogłosił, iż rozpoczyna właśnie produkcję niskonapięciowych modułów pamięci DDR3. 4-gigbitowe chipy zostaną wykonane w 20-nanometrowym procesie technologicznym.

Przeczytaj koniecznie >> Apple prezentuje nowego iPada. Po prostu… Nowego iPada!

Loading ...

Nowe moduły są skierowane do urządzeń mobilnych. Jak zapewnia Samsung, mają one przynieść wydajność zbliżoną do tej, jaką oferują moduły wykorzystywane w komputerach PC.

Nowe kości będą zapewniać transfery na poziomie 2.133 megabitów na sekundę, co jest wartością ponad dwukrotnie wyższą od tej, oferowanej przez moduły LPDDR2 (dla tych ostatnich, maksymalna prędkość przesyłu danych określona była na poziomie 800Mbps). W porównaniu do będących obecnie w sprzedaży modułów LPDDR3, jednak wykonanych w procesor 30 nanometrów, nowe chipy oferują o 30% wyższą wydajność, przy jednocześnie 20-procentowym obniżeniu zużycia energii.

Wykorzystanie nowej technologii pozwoli na wyprodukowanie pojedynczych modułów pamięci RAM o pojemności 2GB i o grubości zaledwie 0,8mm.

Maciej Rosiński

Jestem miłośnikiem gadżetów i nowoczesnych technologii, fanem Xiaomi i MIUI. Lubię język polski i choć nie jestem absolwentem dziennikarstwa, staram się poprawnie wysławiać i pisać po polsku, a piętnować wszelkie przejawy niepoprawności językowej. Od kilkunastu lat udzielam się w dziennikarstwie, od kilku, jako "naczelny recenzent" ;) portalu Tablety.pl.